原理：在一个高真空密闭高压电场容器内，注入少许氩气，使氩气电离，产生氩离子流，轰向靶材(在DPC陶瓷基板加工工艺中为铜金属复合层的制备相关)。这是DPC陶瓷基板加工工艺流程中的一个环节，虽然没有直接描述为专门针对半导体陶瓷基板镀膜设备，但属于陶瓷基板金属化处理过程中可能涉及的设备原理部分，可作为参考。其目的是在陶瓷基板上溅镀结合铜金属复合层，是后续完成线路制作等工序的基础。

在工艺中的作用：为陶瓷基板镀上金属复合层，是DPC陶瓷基板后续线路制作等工艺的前置重要工序，通过这种方式可以使陶瓷基板具备更好的导电性等性能，满足半导体等领域的使用需求。